晶體管直流參數測試儀

BW-3022A

晶體管直流參數測試儀

一、產品基本信息

（1）產品名稱及用途

產品名稱：BW-3022A 晶體管直流參數測試儀

產品用途：滿足電子元器件靜態直流參數測試需求

（2）產品信息及規格環境

產品信息

產品型號：BW-3022A

產品名稱：晶體管直流參數測試儀；

物理規格

主機尺寸：深 305*寬 280*高 120(mm)

主機重量：＜5Kg

主機顏色：白色系

電氣環境 主機功耗：＜75W

環境要求：-20℃～60℃（儲存）、5℃～50℃（工作）

相對濕度：≯85%； 大氣壓力：86Kpa～106Kpa

防護條件：無較大灰塵，腐蝕或爆炸性氣體，導電粉塵等

電網要求：AC220V、±10%、50Hz±1Hz

工作時間：連續；

二、產品介紹

        BW-3022A 型晶體管直流參數測試儀是專為測試電子元器件的直流參數而設計。 可測試三極管、MOS 場效應管、J 型場效應管、整流二極管、三端肖特基整流器、三端 電壓穩壓器和基準器 TL431，其良好的中文界面軟件，簡化了用戶對 BWDT-3022A 的操 作和編程。測試條件和測試參數一次快捷設定，并存入 EEPROM 中。不需附加任何其它 軟件，無需操作培訓,就可操作該儀器. BWDT-3022A 為三極管、MOS 場效應管、J 型場效應管、二極管等提供了 15 種最主 要參數的測試，以及參數”合格/不合格”(OK/NO)測試，用戶通過機器上的按鍵很容易的把 測試條件輸入進去，并將參數存入 EEPROM 中，便于日后方便且快速的打開調用。

三、產品特點

※ 大屏幕液晶,中文操作界面,顯示直觀簡潔,操作方面簡單

※ 大容量 EEPROM 存儲器,儲存量可多達 2000 種設置型號數.

※ 全部可編程的 DUT 恒流源和電壓源

※ 內置繼電器矩陣自動連接所需的測試電路,電壓/電流源和測試回路

※ 高壓測試電流分辨率 1uA,測試電壓可達 1500V

※ 重復”回路”式測試解決了元件發熱和間歇的問題

※ 軟件自校準功能

※ 產品基于大規模微處理器,當用戶選定了設置好的型號時,在手動測試時,按下測試 開關,使測試機開始執行功能檢測,自動測試過程將在 BWDT-3022A 的測試座上檢測 DUT 短路,開路或誤接現象,如果發現,就立即停止測試。功能檢測主要目的是保護被測器件DUT 不因型號選錯而測壞

※ DUT 的功能檢測通過 LCD 顯示出被測器件/DUT 的類型(三極管,MOS 場管等),引腳 排列(P_XXX)測試方式(手動/自動)并繼續進行循環測試,顯示測試結果是否合格,并有聲光 提示

※ 在測試整流二極管時,BWDT-3022A 能自動識別引腳功能,并自動轉換矩陣開關進 行參數測試.測試后顯示對應引腳功能號

※ 兩種工作模式

1、自動模式：自動檢測有無 DUT 放于測試座中,有則自動處于重復測試狀態,無則處 于重復檢測狀態； 2、手動模式：（剛開始未測試時屏幕白屏屬正常現象）;當測試開關按下后自動對測 試座中的 DUT 進行檢測測試,長按開關不松開則處于重復測試狀態,松開開關則自動停止測試

四、測試種類及參數注釋

1、BJT/三極管

(1)Vbe:Ib:表示測試三極管 VBE 壓降時的輸入電流.

(2)Vce:Bv:表示測試三極管耐壓 BVceo 時輸入的測試電壓.

(3)Vce:Ir:表示測試三極管耐壓 BVceo 時輸入的測試電流.

(4)HEF:Ic:表示測試三極管直流放大倍數的集電極電流.

(5)HEF:Vce:表示測試三極管直流放大倍數的集電極電壓

(6)Vsat:Ib:表示測試三極管飽和導通壓降時輸入基極的電流.

(7)Vsat:Ic:表示測試三極管飽和導通壓降時輸入集電極的電流.

(8)Vb:表示三極管的輸入壓降 VBE.

(9)VCEO:表示三極管的耐壓(BVceo).

(10)HEF:表示三極管的直流放大倍數(HEF).

(11)Vsat:表示三極管的飽和導通壓降(VCEsat).

(12)TestModel:Auto :表示設置為自動識別測試.

(13)TestModel:Manual :表示設置為手動測試.

2、MOSFET/場效應管

(1)Vth:ID:表示測試場效應管柵極啟動電壓(Vgs(th))的輸入電流.

(2)Vds:Bv:表示測試場效應管耐壓(BVdss)時的測試電壓.

(3)Vds:Ir:表示測試場效應管耐壓(BVdss)時的測試電流.

(4)Rs:Vg:表示測試場效應管內阻(Rson)時加在柵極的電壓.

(5)Rs:ID:表示測試場效應管內阻(Rson)時的測試電流.

(6)Vth:表示場效應管的啟動電壓(Vgs(th)).

(7)Bvds:表示場效應管的耐壓(BVdss).

(8)Rs:表示場效應管的導通內阻(Rdson)

(9)Igss:OG:表示測試場管輸入端 G 極的電容漏電特性，該設置數據為延時時間數，利 用延時設定時間后 VGS 電壓的保持量來測漏電特性。

(10)Test:T:表示測試多少次后就停止測試。可設定到 9999 次。

3、JFTE/結型場效應管

(1)Ids:Vd 表示測試結型場效應管漏極飽和電流(Idss)加在 D 極和 S 極的電壓(Vds)

(2)Vds:Bv 表示測試結型場效應管耐壓(BVdss)時的測試電壓.

(3)Vr:Ir 表示測試結型場效應管耐壓(BVdss)時的測試電流.

(4)Voff:Vd 表示測試結型場效應管阻斷電壓(Vgs(off))加在 D 極和 S 極的電壓(Vds).

(5)Voff:Id 表示測試結型場效應管阻斷電壓(Vgs(off))加在 D 和 S 的電流.

(6)Is:表示結型場效應管的漏源飽和電流(Idss),在 GS=0V 的條件下測得.

(7)Bvds:結型場效應管在關斷時的擊穿電壓.

(8)Vof:結型場效應管的阻斷電壓(VGS(off)).

(9)gm:結型場效應管的跨導系數,即導通內阻的倒數.

4、三端穩壓 IC

(1)Vo:Vi 表示測試三端穩壓時的輸入測試電壓.

(2)Vo:Vi 表示測試三端穩壓時加在輸出端的負載電流

(3)Vo:表示三端穩壓的輸出電壓數.

5、基準 IC

(1)Vz:Iz 表示測試基準 IC 時的輸入測試電流.

(2)Vz:表示基準 IC 的穩定電壓數

6、整流二極,三端肖特基整流器

(1)VF:IF 表示測試三端肖特正向壓降 VF 的測試電流.

(2)Vr:Bv 表示測試三端肖特反向耐壓(VRRM)的測試電壓.

(3)Ir:Fu 表示測試時反向漏電流參數是否要測，設大于 0 為開啟該項參數。

(4)Vr:Ir 表示測試三端肖特反向耐壓(VRRM)的測試電流.

(5)VF1:表示測試三端肖特正向壓降 1. (5)VF2:表示測試三端肖特正向壓降

                                          BW-3022A測試技術指標：

1、 整流二極管,三端肖特基:

耐壓(VRR)測試指標

導通正向壓降(VF)

2 、N型三極管

輸入正向壓降(Vbe)

耐壓(Bvceo)測試指標

直流放大倍數(HEF)

輸出飽和導通壓降(Vsat)

3、P型三極管

輸入正向壓降(Vbe)

耐壓(Bvceo)測試指標

直流放大倍數(HEF)

4、N,P型MOS場效應管

輸入啟動電壓(VGS(th))

耐壓(Bvds)測試指標

導通內阻(Rson)

5、三端穩壓IC

輸出電壓(Vo)

6、基準IC 431

輸出電壓(Vo)

7、結型場效應管

漏極飽和電流(Idss)

耐壓(Bvds)測試指標

夾斷電壓(Vgs(off))

共源正向跨導(gm)

8、雙向可控硅

導通觸發電流(IGT)

導通觸發電壓(VGT)

耐壓(VDRM/VRRM)

通態壓降(VTM)

保持電流(IH)